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一种多晶串联的深紫外发光二极管封装结构

一种多晶串联的深紫外发光二极管封装结构

专利信息

专利号 ZL202321680083.4
专利权人 湖北优炜芯科技有限公司
申请日期 2023-06-28
授权日期 2024-03-29
专利类型 实用新型

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浏览次数
2024-03-29
授权日期
专利有效
0.239878s