一种基于P电极条形阵列的深紫外LED芯片
专利信息
专利号
ZL201920856700.9
专利权人
湖北深紫科技有限公司
申请日期
2019-06-06
授权日期
2020-01-03
专利类型
实用新型
更多信息
169
浏览次数
2020-01-03
授权日期
专利有效
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