芯片核心关键技术
基于高能效紫外LED芯片光子控制技术的创新突破，实现紫外LED芯片出光效率提升一倍以上，领先同行50%
出光效率提升
突破性实现紫外LED芯片出光效率提升一倍以上
行业领先
领先同行50%，获得多项国家级竞赛第一名
技术创新
首创蛾眼微结构紫外LED芯片和全空间反射技术
创新高能效紫外LED芯片光子控制技术
通过蛾眼微结构界面光调控和全空间反射结构，大幅提升TE/TM模式的光提取效率
界面蛾眼微结构形貌
采用电子显微镜(SEM)观察的蛾眼微结构，表面覆盖规则排列的半球形微结构，均匀分布，尺度为3μm。
光传输特性对比
平面结构：小角度高传输，30°后急剧下降
蛾眼结构：宽角度高传输，90°仍有显著传输
横电TE模式出光提升
蛾眼微结构表面相比平面表面，显著提升了光提取效率，减少了全内反射，使更多光子成功逸出。
芯片结构层次
蓝宝石衬底
AlN
n-AlGaN
MQWs
EBL
p-AlGaN
技术成果与知识产权
基于芯片技术的创新成果获得多项国家级认可和行业专家高度肯定
核心专利
新型深紫外发光二极管芯片及其制备方法
专利号：ZL201811375706.0
全空间ODR深紫外高光效二极管芯片及其制作工艺
专利号：ZL201910693448.9
代表论文
ACS Photonics
2018, 5.9: 3534-3540
Optics Express
2019, 27.20: 1601-1614
获奖成就
工信部2023创客中国国家光电专业赛
第一名
科技部2023"双创"大赛湖北赛区
第一名
技术优势总结
首创蛾眼微结构紫外LED芯片技术
全空间反射技术突破
大幅提升TE/TM模式光提取效率
有效解决量子阱有源区光提取效率低难题
出光效率提升一倍以上
领先同行50%