AIN / AIGaN外延材料

应用领域

型号

产品

范围

深紫外 (DUV) LED 、功率器件、射频器件等前沿光电器件

尺寸：2英寸（φ50.8mm±0.1mm）
基板材质：单面/双面抛光蓝宝石 (Al₂O₃)
外延厚度范围：0.5μm ~ 5μm
晶体取向：C-面（0001）
晶体质量（XRD FWHM）：
厚度0.5-1μm：(002)面≤120arcsec； (102) 面≤950arcsec
厚度1-2μm：(002)面≤120arcsec； (102) 面≤600arcsec
厚度2-3μm：(002)面≤150arcsec； (102) 面≤500arcsec
厚度3-4μm：(002)面≤180arcsec； (102) 面≤400arcsec
厚度4-5μm：(002)面≤180arcsec； (102) 面≤320arcsec
边缘缺陷：缺口/裂纹<2mm
表面粗糙度：10×10μm区域内Ra<1.5nm（AFM 测量）
包装方式：10,000 级洁净室环境中真空密封，25片/盒或单晶圆容器包装
核心优势：超光滑表面、低缺陷密度、真空密封包装

超光滑表面

• 低缺陷密度

• 真空-密封

尺寸：2英寸（φ50.8mm±0.1mm）
基板材料：单面/双面抛光蓝宝石 (Al₂O₃)
外延厚度范围：5nm ~ 3000nm
晶体取向：C-面（0001）
带隙能量：可通过铝组分调整，支持客户定制
晶体质量（XRD FWHM，参考1.5 μm AlGaN，含 60% Al）：
(002)平面≤350 arcsec；(102) 平面≤600 arcsec
注：具体XRD FWHM 值可根据实际 Al 成分和层厚度精确定制
边缘缺陷：缺口/裂纹<2 mm
包装方式：10,000 级洁净室环境真空密封，25片/盒或单晶圆容器包装

可调谐带隙

• 厚度5 nm–3 µm

• 定制 XRD 规格