11月12日. 2025，第十一届宽禁带半导体国际论坛暨第二十二届中国国际固体照明论坛在厦门隆重举行。活动期间，“2025年中国宽带-间隙半导体技术十大进展”正式发布。入选成果中，UVLEDTEK与华中科技大学、华中科技大学鄂州工业技术研究院联合完成的“提高AlGaN-基深-紫外光源芯片发光效率关键技术研究”项目。
UVLEDTEK联合研究团队通过创新设计芯片蚀刻反射阵列结构并首创协调散射光子调控策略，成功制造出晶圆-级介电纳米结构。这些关键技术突破克服了在 230nm 波段工作的远-紫外 LED 光源实现毫瓦-级功率输出的全球挑战。最终，团队开发出了基于AlGaN-的深-紫外LED光源，峰值波长为230nm，输出功率为2.8mW，这是迄今为止报道的毫瓦-级深-紫外LED的最短波长，将深-深紫外LED光源的性能极限推向了新的领域。
230nm深-紫外线凭借极短的波长和极高的能量，可以高效破坏微生物的DNA/RNA，实现高效灭菌。更革命性的是，它解决了传统深紫外线消毒中“人-机共存”的核心挑战-紫外线-与传统UVC波长相比，该波段对皮肤、眼睛等人体组织的穿透力较弱，潜在危害显着降低。这一特性使得医院、学校、公共交通、办公室等占用空间无需疏散即可进行持续的实时消毒，大大拓展了紫外线消毒的应用边界。此外，230nm深-紫外光对特定物质的检测具有较高的灵敏度，在气体传感、水质分析、精密仪器检测等需要高精度、低-剂量安全保证的场景中具有广阔的应用前景。
此次入选“2025中国宽禁带-间隙半导体技术十大进展”，是业界对UVLEDTEK及合作伙伴在半导体核心技术创新能力和研发实力的权威认可。未来，UVLEDTEK将继续加大研发投入，深化与产-学-科研伙伴的紧密合作，继续致力于推动第三代-半导体技术（特别是宽-带隙半导体光电子领域）的持续创新和产业发展，为提升我国在该领域的全球竞争力、引领行业不断攀登新的技术高度做出贡献。
